江苏省技术产权交易市场

低位错、无黑边全熔G6多晶硅片
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商品编号
201833500007811881
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代理
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低位错、无黑边全熔G6多晶硅片
    太阳能,由于来源广泛且取之不尽用之不竭,成为最佳的能源替代产品。太阳能电池根据所用材料的不同可分为:1)晶硅太阳能电池;2)多元化合物薄膜太阳能电池;3)聚合物多层修饰电极型太阳能电池;4)纳米晶太阳能电池和5)有机太阳能电池。其中,晶硅电池由于具有相对低廉的制造成本和合适的光电转换效率,受到了市场的青睐,成为了光伏发电行业的主力军。 
    晶硅电池按照基板材料的来源来分:主要包括单晶硅片和多晶硅片,其中直拉法生产的单晶硅片具有光电转换效率较高(19.5%~20.5%)的优势,但同时也存在生产成本高、产能低的缺点;与之相对,多晶硅片光电转换效率(18%~19%)虽略低于单晶硅片,但具有生产成本低、产能高等优势,更加有利于推进光伏平价上网目标的实现,因而受到了市场的广泛欢迎,近年来已逐步取代了直拉单晶硅片,牢牢的占据了晶硅电池市场,成为目前太阳能发电的主力军。 
    本项目产品是制作太阳能电池组件的主要原材料——低位错、无黑边全熔G6多晶硅片。通过对公司现有GT多晶炉腔尺寸不变的基础上借鉴国内外成熟的热场技术对热场内部结构重新设计,采用侧壁新型高纯和新型坩埚,结合新型的多晶铸锭工艺,开发出了一种新型的无黑边多晶硅片。新型无黑边多晶硅片具有晶粒尺寸细小且分布均匀、硅片内部位错密度低、由于坩埚杂质扩散所造成的侧壁晶砖黑边宽度为0和光电转换效率高(≥18.5%)的特点。 
项目的实施是太阳能行业前道工序的一大重点技术突破,对促进我国光伏行业“两高一低”,实现光伏发电成本的快速降低,提升光伏行业整体竞争能力,最终实现光伏平价上网具有重大的革命性意义。 
    项目发明了具有自主知识产权的一种无黑边高效多晶硅锭的制备方法等专利,实现了无黑边G6多晶硅片生产的新工艺,获得授权国家发明专利6项,授权实用新型专利26项,申请发明专利29项。获得镇江市科技进步三等奖,2016年国家火炬计划项目。 
    项目开发的技术自2015年起逐渐应用于实际生产,在国内领先使用低位错、无黑边全熔G6多晶硅片,不仅满足了国内市场的需求,而且出口新加坡等国际市场。2014年至2016年12月,共销售10.24亿片低位错、无黑边全熔G6多晶硅片,销售收入44.63亿元,利税1.07亿元,创汇16.21亿元。 
    本项目形成了具有我国自主知识产权的生产低位错、无黑边全熔G6多晶硅片的技术体系,有效降低了生产成本,提高了多晶硅片光电转换效率,实现了大规模产业化,直接推动了我国光伏产业的技术进步和产业发展。
商品类型 技术成果 项目阶段 批量生产 成果权属 独占
技术领域
新型电子元器件 电子信息
交易方式 其他 权属人
吴明山
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