重掺半导体硅单晶体内碳含量简易测试方法 针对轻掺半导体硅单晶,体内碳含量可以通过FTIR的方方式进行测试,但是针对重掺半导体硅单晶,由于掺杂杂质的影响,无法通过FTIR的方式进行测试,比较难获得体内碳含量的数据 目前了解,只能通过SIMS进行测试,设备价格太过昂贵,且测试效率低,对于产业化使用有一定局限性 重掺(硼、磷、砷、锑)单晶硅晶体中碳含量的简易测试方式,成本较低,适合量产监控之方法。 要求测试精度达0.01ppma
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