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PTC片原料中四氧化三铅用氧华锶替代保持发热效率不变的技术解决方法

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发布时间: 2025-04-27 11:46:44 剩余时间: 89天

需求编号: 6288258928985088

发布者: 氿宇国际技术转移（无锡）有限公司

需求状态: 发布中

意向投入: 面议

联系方式: 150xxxx3157 【点击查看】

佣金金额: 面议

提出解决方案

因四氧化三铅（Pb3O4）存在环境污染风险，需用氧化锶（SrO）替代，但现有替代方案导致PTC片发热效率下降10%-15%，影响产品性能稳定性。
氧化锶掺杂比例与晶格结构匹配技术<br>2. 替代后材料居里温度调控<br>3. 复合陶瓷体导电/导热协同优化。
开发无铅环保配方，保持发热效率≥98%（原四氧化三铅体系基准），寿命≥5000小时。
关键指标 ：体积电阻率：20-50Ω·cm（25℃）<br>2. 热响应时间≤90秒<br>3. 功率衰减率≤3%/1000小时