本发明公开了一种制备竹节状SiC纳米线的方法，将打磨抛光烘干后的块状石墨材料置于沉积炉中，低压1kPa下通电升温至预定温度后，向装有甲基三氯硅烷的鼓泡瓶中通入载气氢气，将反应气源带入炉堂内进行反应。沉积结束后随炉冷却至室温，即可得到大量高纯竹节状SiC纳米线。本发明制备工艺简单，不需要预先合成工艺；沉积温度较低，降低了能耗和制备成本；制备的竹节状SiC纳米线纯度较高；可通过工艺参数的调节实现竹节状SiC纳米线的可控生长，易于实现工业生产；解决了现有技术中竹节状SiC纳米线制备工艺较为复杂、合成温度高、能耗大、成本高、产物难以控制的问题。

本发明公开了一种制备竹节状SiC纳米线的方法，将打磨抛光烘干后的块状石墨材料置于沉积炉中，低压1kPa下通电升温至预定温度后，向装有甲基三氯硅烷的鼓泡瓶中通入载气氢气，将反应气源带入炉堂内进行反应。沉积结束后随炉冷却至室温，即可得到大量高纯竹节状SiC纳米线。本发明制备工艺简单，不需要预先合成工艺；沉积温度较低，降低了能耗和制备成本；制备的竹节状SiC纳米线纯度较高；可通过工艺参数的调节实现竹节状SiC纳米线的可控生长，易于实现工业生产；解决了现有技术中竹节状SiC纳米线制备工艺较为复杂、合成温度高、能耗大、成本高、产物难以控制的问题。