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一种自阻挡层结构的有机场效应晶体管存储器及其制备方法
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商品编号
FP202311100859905536
商品权属
自有
交易方式
开放许可
支付方式
免费
许可期限
1 年
商品价格
¥ 0 元

店铺信息

南京邮电大学
电话 185xxxx1668
本发明公开了一种自阻挡层结构的有机场效应晶体管存储器,从上到下依次为源漏电极、有机光敏半导体层、栅绝缘层和衬底,所述有机光敏半导体层和栅绝缘层之间设有混合聚合物自阻挡薄膜层;本发明通过简单的工艺手段改进器件的存储性能,使其存储容量、开关速度和耐受性得到很大提升;并且降低了器件制备成本,便于推广、应用。
本发明公开了一种自阻挡层结构的有机场效应晶体管存储器,从上到下依次为源漏电极、有机光敏半导体层、栅绝缘层和衬底,所述有机光敏半导体层和栅绝缘层之间设有混合聚合物自阻挡薄膜层;本发明通过简单的工艺手段改进器件的存储性能,使其存储容量、开关速度和耐受性得到很大提升;并且降低了器件制备成本,便于推广、应用。
商品类型 专利 申请号 ZL201710166292.X IPC分类号
H01L51/42
专利类型 发明 法律状态 有权 技术领域
先进制造与自动化
交易方式 开放许可 专利状态 已授权 专利权人
南京邮电大学
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