本发明公开了一种光调控三端口人工突触器件及制备方法，所述器件的结构包含衬底；位于所述衬底上的栅电极和栅绝缘层；位于所述栅绝缘层上的聚合物薄膜层；位于所述聚合物薄膜层上的有机半导体层；位于所述有机半导体层上的半导体沟道层；位于所述半导体沟道层两端的源电极和漏电极。所述制备方法包括选择衬底、形成栅电极和栅绝缘层、配制聚合物溶液、旋涂形成聚合物薄膜层、真空混蒸有机半导体层和源漏电极。本发明的器件将三端口人工突触中的有机半导体层用P型半导体和N型半导体混蒸而成，既保留了器件的器件特性，又优化器件结构；其制备方法操作简单，成本低廉，适宜大规模生产；可应用于人工智能和视觉神经网络领域。

本发明公开了一种光调控三端口人工突触器件及制备方法，所述器件的结构包含衬底；位于所述衬底上的栅电极和栅绝缘层；位于所述栅绝缘层上的聚合物薄膜层；位于所述聚合物薄膜层上的有机半导体层；位于所述有机半导体层上的半导体沟道层；位于所述半导体沟道层两端的源电极和漏电极。所述制备方法包括选择衬底、形成栅电极和栅绝缘层、配制聚合物溶液、旋涂形成聚合物薄膜层、真空混蒸有机半导体层和源漏电极。本发明的器件将三端口人工突触中的有机半导体层用P型半导体和N型半导体混蒸而成，既保留了器件的器件特性，又优化器件结构；其制备方法操作简单，成本低廉，适宜大规模生产；可应用于人工智能和视觉神经网络领域。