本发明公开了一种具有复合结构的双向ESD防护器件，属于集成电路的静电放电防护及抗浪涌领域。所述器件主要由一P型浅掺杂衬底、N型掺杂阱、第一P型中掺杂阱、第二P型中掺杂阱、第一P型重掺杂注入区、第一N型重掺杂注入区、第二P型重掺杂注入区、第二N型重掺杂注入区、第一多晶硅栅及其覆盖的第一薄栅氧化层、第三N型重掺杂注入区、第四N型重掺杂注入区、第二多晶硅栅及其覆盖的第二薄栅氧化层和第五N型重掺杂注入区构成。本发明通过版图设计和利用P型中掺杂阱，提高器件内部寄生NPN三极管的基区浓度，降低内部寄生NPN三极管放大倍数，削弱寄生SCR结构的正反馈程度，可提高器件的维持电压，增强ESD鲁棒性。

本发明公开了一种具有复合结构的双向ESD防护器件，属于集成电路的静电放电防护及抗浪涌领域。所述器件主要由一P型浅掺杂衬底、N型掺杂阱、第一P型中掺杂阱、第二P型中掺杂阱、第一P型重掺杂注入区、第一N型重掺杂注入区、第二P型重掺杂注入区、第二N型重掺杂注入区、第一多晶硅栅及其覆盖的第一薄栅氧化层、第三N型重掺杂注入区、第四N型重掺杂注入区、第二多晶硅栅及其覆盖的第二薄栅氧化层和第五N型重掺杂注入区构成。本发明通过版图设计和利用P型中掺杂阱，提高器件内部寄生NPN三极管的基区浓度，降低内部寄生NPN三极管放大倍数，削弱寄生SCR结构的正反馈程度，可提高器件的维持电压，增强ESD鲁棒性。